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物联网通信芯片和蜂窝芯片介绍:物联网通信芯片,可在网络与串口间进行数据双向传输,实现了现场串口与终端控制设备之间的无线通信,对现场设备的数据采集、记录和调控,极大地提升了日常家居和商业使用、工农业生产等场景的管理效能。在电力、工控、医疗、交通、物流、气象、农业、水利、石油、煤矿、新能源等领域均广为应用。蜂窝通信是采用蜂窝无线组网方式,在终端和网络设备之间无线链接,用户在移动、活动中即可相互通信。其主要特征是终端的移动性,并可越区切换、跨本地网自动漫游。蜂窝移动通信业务是指:基站子系统和移动交换子系统等组成蜂窝移动网所提供的数据、语音、视频、图像等业务。目前国内已有不少物联网芯片厂家,为用户提供物联网通信芯片、蜂窝芯片、小体积蜂窝物联通信芯片,功能品质越来越强,有的还提供方案支持。而国内市场是全球比较大的物联网通信芯片市场。 逻辑门转换芯片江苏润石电平转换芯片国产替代。江门汽车电机控制系统芯片润石芯片国产替代

工业控制之国产钳表芯片解决方案介绍:钳表是用于测量电气线路中电流大小的仪表,可在不断电的情况下进行测量。钳表的构造,是由一个电流互感器和钳形扳手,以及整流式磁电系有反作用力的仪表所组成。钳表也有人称为卡钳表,是一种用于测量交直流电流的仪表,能用于对电流非接触式测量,而无需破坏电路和断开电源。电流卡钳表应用很广,电力、电气、工业控制、生产制造、科研等领域都能应用。具有使用安全方便、准确的优点,成为电子电力领域常用的测试计量工具。电流钳表芯片和方案支持国产润石工控嵌表方案:RS857/8,RS2057,RS3226,RS3236。附录:国产汽车电子运算放大器RS721/2/4P-Q1、RS8551-Q1,RS8412/4-Q1比较器RS331-Q1,RS393-Q1,LM2901-Q1,LM2903-Q1电压基准源LM2903-Q1,RS431-Q1电平转换芯片RS0108,RS0204逻辑芯片RS4G00,RS4G08,RS1G08,RS1G17,RS1G125。汽车电子。 惠州汽车电子芯片润石芯片国产替代江苏润石国产芯片车规级电平转换芯片国产替换。

汽车电子技术车门控制模块(车身控制单元):车门控制模块也叫车身控制单元,是对车门及车门周边电器部件如玻璃升降及防夹,后视镜调节,门锁,门灯等进行智能化集中管理控制的一种汽车电子产品。BCM(车身控制模块)主要作用是控制车上的电器系统,是汽车的电气重要组成部分。用于监控与车身相关的功能如车灯、车窗、门锁,BCM还能提供车辆检修时的诊断信息。在开启车灯、雨刮器或座椅加热时,BCM作为控制中心进行工作。BCM可与60多种不同的ECU进行数据信息交互。作为汽车电子系统的重要部分,BCM可以帮助降低汽车的总能耗。运算放大器、比较器。汽车电子芯片通信接口串口芯片国产替代方案支持详情点入
蜂窝物联网(CellularIoT)介绍:蜂窝物联网将物理装置(如传感器)与互联网连通,与智能手机(或智能控制器)链接于同一网络上。蜂窝网络可将智能控制器接通社交或娱乐软件、灯光、医院,智慧农业,工控领域如设备控制。IoT意为“物体组成的因特网”,即物联网,又称传感网,是互联网从人到物的延伸。将信息传感设备如射频识别、定位、红外感应、传感器、激光扫描等装置,与互联网连通形成物联网络。即通过网络对装置进行识别和管理。其传感器可长距传输数据,而不必大量耗电。蜂窝物联网两种主要形式:1、LTE-M设备可搭载在现有蜂窝网上,可以云通信、实时传送数据,如自动驾驶或紧急设备。2、NB-IoT为“窄带IoT”,适合LTE信号差的区域。如智能农业土壤传感器,只需占用带宽一小部分。5G的出现,使蜂窝物联网在互联领域异军突起。工业物联网中5G网能在物流或工业制造中,为大量设备提供互联,极大地提升了管理效率。 电动汽车电池管理系统BMS汽车电子国产替换。

汽车逆变器功率元器件IGBT使用和保护:汽车电子逆变器驱动技术,需保护功率开关晶体管以尽量提高其工作寿命。汽车电子逆变器为电动机控制电源的关键部件,可把低压直流电转为高压交流电,从而为动力提供电能。一些新材质功率器件如碳化硅、氮化镓等,也有人研究是否适用于汽车逆变器。而目前仍以IGBT为佳。为把IGBT的功耗降到比较低,IGBT希望降低开关和传导损耗,为此须在强固性上作出让渡。IGBT短路检测和保护:单独检测每个IGBT的负载电流大小。检测负载电流大小可用多种方法,如采用分流电阻、射极分离IGBT,可产生正比于IGBT负载电流的电压信号,当信号超过设定阀值大小时,则触发保护机制。可靠性是汽车电子的基本要求:在汽车电子中实现IGBT保护电路的要点:小尺寸、低成本、强固性。汽车电子对可靠性的要求很高,因此强固性和稳定性很重要。特别是恶劣环境如寒热、幅射、沙尘、震动、电磁干扰下的可靠性。 TWS耳机模拟开关芯片国产替换方案。上海车身控制芯片润石芯片原厂技术支持
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汽车电子之高性能碳化硅场效应晶体管新工艺:碳化硅(SiC)是电力电子中重要的半导体材料之一,在汽车电子、电力等领域广为应用。SiCMOSFET的技术瓶颈是其栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低。现国内科研团队提出一种用低温超临界二氧化碳,或超临界一氧化二氮流体的低温退火工艺。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。通过增压,二氧化碳和一氧化二氮在接近室温时更容易进入超临界流体状态。SCF态是物质的一种特殊相,它具有气体一样的高渗能力和液体一样的高溶度,几无表面张力。因此可将SCCO2或SCN2O流体引入界面来减小陷阱,而不会造成新的损伤。该研究成果不仅实现了高质量SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性,更可喜的是,其高效低温退火工艺与标准SiCMOSFET制造工艺兼容,为制备高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于商用器件和汽车电子器件的制备。上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议上发表。获国家重点研发计划、国家自然科学基金等支持。 江门汽车电机控制系统芯片润石芯片国产替代
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